MOS管选型七要素
MOS 场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）主要分为 N 沟道与 P 沟道两大类，是开关电源等电子系统中不可或缺的核心器件。在实际设计与应用过程中，MOS 管的选型直接影响电路性能、可靠性与成本。本文将为大家系统解析 MOS 管选型的关键要素，助力工程师精准选型、优化设计。
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1
该选什么封装的才合适
第1个要素是选择封装。
我们常见的电子元件都有插件款和贴片款，MOS管也相同，下面简单举例一下~
插件类常见封装有：TO-220、TO-251等类型。
贴片类常见封装有：TO-252、TO-263等类型。
2
选择N沟道还是P沟道
第2个要素是我们要针对不同的应用，我们可以去选择N MOS还是P MOS。
N MOS：选择型号较多、成本低。
P MOS：选择型号较少，价格较高。
所以在所有的开关电源电路中，我们会倾向选择N MOS管，例如正激、反激、整流桥电路等。
那什么时候选择P MOS呢？例如，当我们的电源需要做开关控制时，我们就会选择P MOS。
3
明确导通时的最大阻抗
第3个要素是MOS管导通时漏源间的最大阻抗。
MOS管可以作为开关用，但是它并不是理想的开关，它会有一个最大阻抗，这个最大阻抗我们称之为RDS（ON）。
当电流通过MOS管工作的时候，就会产生损耗，这个损耗就是最大的电流的平方乘以RDS（ON）。在这里需要注意，最大阻抗随着温度的变化而有轻微变化。
因此在选择MOS管作为开关的时候，需要去考虑在有最大阻抗的情况下，MOS管作为开关时能否符合电路要求。
4
确定漏源击穿电压
第4个要素就是要确定漏源击穿电压VDS。
漏源击穿电压是指在MOS管的漏极和源极间能够承受的最大的电压，同时我们还要存有一定的余量。
留存余量的目的是：防止当温度变化时电压发生微小变化时，不能完成电路的功能要求。
以下方的产品规格书为例，红框内的电性参数就是漏源击穿电压。
5
确定最大漏源电流
第5个要素是去确定MOS管的最大漏源电流。
首先，要确保MOS管的最大漏源电流在我们电路所产生的最大漏源电流范围内。
其次，要留有足够的余量。
下图以ASEMI品牌的10N65产品规格书为例，向大家讲解一下~
红框内的参数ID即为该MOS管在留有足够的余量下的最大漏源电流，具体数值和单位为最后两栏。
6
了解MOS管开启电压
第6个要素是开启电压VGS。
VGS是指栅源极之间的开启电压。
以上图中的产品规格书为例，
图中红框内的参数就是开启电压，
最小是2V，
最大是4V。
7
判断电路板散热情况
第7个要素是要去了解MOS管的散热要求。
MOS管重要参数之一就是它的工作温度，工作温度最低-55℃，最高+150℃，不同MOS管的工作温度要查阅产品规格书。
因为MOS管在工作的时候会产生能量，要保证它表面上的温度不能超过结温的85%才能正常运作。如果超过或接近这个数值，我们要在MOS管上加一些散热的装置，例如散热片，对MOS管的工作环境进行散热。
以下图为例，产品规格书会标注该MOS管的工作温度范围以及存储时的外界环境温度范围。
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